IKW08N120CS7
综述
1200 V、8 A IGBT7 S7，带有反并联二极管，采用TO-247封装
硬开关1200 V, 8 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7分立器件采用TO-247封装，内置EC7二极管。它具有低VCEsat，可在目标应用中实现非常低的传导损耗，并且共封装的非常柔软和快速的二极管有助于最大限度减少开关损耗，从而从整体上降低总损耗。
特征描述
- VCEsat非常低
- 良好的可控性
- 具有更高柔软度的满载额定续流二极管
- 对恶劣条件和HV-H3TRB的耐受性
- 8 us短路时间
- 非常严格的参数分布
- 工作温度Tj最大值为175°C
优势
- IGBT损耗最低，系统效率高，输出功率更高
- 无需重新设计散热器即可获得更高的功率密度
- 快速方便地替换前一代T2产品系列
- 在恶劣的工况下，设备可靠性高
- 易于设计，满足EMI要求
图表
支持
