IKW15N120T2
综述
1200 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
1200 V，15 A 硬开关 TRENCHSTOP™2 第四代 IGBT，与定续流二极管联合封装到 TO-247 封装中，结合沟槽栅和场终止概念，显著改善器件静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现最高效率。
特征描述
- 最低 VCEsat 压隆，降低传导损耗
- 低开关损耗
- VCEsat 具备正温度系数，实现轻松并联开关能力
- 极软、快速恢复防并联发射极控制二极管
- 高稳健性和温度稳定性
- 低 EMI 排放
- 低栅极电荷
- 参数分布非常紧凑
优势
- 最高效率 – 低传导和开关损耗
- 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合，支持灵活设计
- 器件高可靠性
图表
支持
