IKW40N65H5
综述
650 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
第五代高速 650 V,40 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT 与 RAPID 1 快速超软防关联二极管联合封装到 TO-247 封装，打造同类产品中极为优秀的 IGBT。
特征描述
- 650 V 击穿电压
- 对比业界卓著的“HighSpeed 3”系列
- 系数 Qg 降低 2.5 倍
- 开关损耗系数降低 2 倍
- VCEsat 降低 200mV
- 联合封装 Rapid 硅二极管技术
- 低 COES/EOSS
- 温和正温度系数 VCEsat
- Vf 具有温度稳定性
优势
- 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
- 母线电压可提升 50 V，同时不影响可靠性
- 更高的功率密度设计
潜在应用
图表
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