IKW50N60T
综述
600 V, 50 A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用TO247封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了最佳的折衷，因此可实现最高效率。
特征描述
- 更低的 VCEsat 压降可以降低导通损耗
- 低开关损耗
- 由于 VCEsat呈现正温度系数特性，因此易于进行器件的并联应用
- 非常软且快速恢复的反并联发射极控制二极管
- 具有高鲁棒性、温度稳定的特性
- 低电磁干扰辐射
- 低栅极电荷
- 非常紧密的参数分布
优势
- 高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
- 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性
- 器件可靠性高
图表
视频
支持
