IKZ75N65EL5
综述
英飞凌全新的 L5 低饱和电压（V CE（sat））TRENCHSTOP™IGBT 系列专门针对 50Hz 至 20kHz 的低开关频率进行了优化。创新的 55µ m TrenchStop ™5 薄晶圆技术的载体配置优化允许降低对内部低电平的传导损耗 –30A IGBT 时 1.05V，75A IGBT 时 1.10V。
特征描述
- 最低饱和电压 V Ce（sat）仅为 1.05V
- 30A IGBT 在 25°C 时的低开关损耗为 1.6mJ
- 电气参数热稳定性高 - 只有2％的漂移随着 Tj 从 25°C 增加到 175°C
优势
- 50Hz 的效率更高
- IGBT 寿命更长、可靠性更高
- 热性能稳定，因此设计可靠性高
潜在应用
视频
支持
