TRENCHSTOP™ 5 in D2Pak

综述

采用 D2PAK 封装尺寸，集成 650 V IGBT出色的功率密度

借助英飞凌超薄 TRENCHSTOP^TM 5 IGBT 技术，在更小尺寸的芯片中实现更高的功率密度。英飞凌是市面上率先可在 D²PAK 封装中同时安装 40A 650V IGBT 和 40A 二极管的厂商，而竞争厂商只能在 D²PAK 中封装上限为 30A 的 Duopack IGBT，相比之下，英飞凌的功率密度比竞争厂商高 25%。现有 SMD 设计升级之后，功率可提高20%。

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演示板 3.5kW 焊机，单相、半桥拓扑，使用 2 个 IKB40N65EH5

额定输出：160ADC / 24VDC。输入电源电压：AC220 V ±15%，50/60 Hz

测试方式如下：在 ~3.5kW（电网电压 (230 V)，焊接/输出电流 ~160 A）下实施两个焊接循环，接通 6 分钟，断开 4 分钟；IGBT 栅极电阻 Rg = 22 欧。

对 3.5kW 焊机示例的内部检查结果显示，在TO-247 封装中同时采用 40A 650V IGBT 与 40A 二极管的做法可升级为在贴装于 IMS（绝缘金属衬底）的 D²PAK 封装中同时采用 40A 650V IGBT 和 40A 二极管。

关键特性	核心优势	应用
采用 D²PAK 封装尺寸，集成 650 V IGBT的卓越功率密度比任何其他竞争对手高出 25 % 采用领先的 TRENCHSTOP^TM5 技术，提供一流的效率	采用 D²Pak 封装，提供更高的功率设计升级现有设计，实现更高的功率输出减少并联，提高系统可靠性，降低复杂性使用更小型的 PCB，系统设计更为紧凑，重量更轻	能源存储不间断电源（UPS）工业加热和焊接太阳能充电器

关键特性	核心优势	应用

采用 D2PAK 封装尺寸，集成 650 V IGBT出色的功率密度

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650 V TRENCHSTOP™ 5 开关频率

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