DD800S17H4_B2 1700 V, 800 A diode module
综述
1700 V IHMB 130mm 二极管模块 配有铝碳化硅基板和第四代发射极控制二极管- - 是您的牵引和工业应用的理想解决方案。设计的初衷是将其与第四代 IGBT 产品结合。
特征描述
- Tvj op = 150°C
- 高可靠性和坚固的模块结构
- 增大的二极管针对再生运行
- UL 认证
优势
- 高功率密度可实现紧凑型逆变器设计
- 标准封装
潜在应用
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图表
支持
