FF1200R17KP4_B2 1700 V 1200 A 双 IGBT模块

综述

IHM 1700 V,, 1200 A, 130mm dual IGBT module with soft-switching Trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 3 diode. 

特征描述

 

  • 低 V（cesat）
  • 增大的二极管针对再生运行
  • 4 kV 交流 1 分钟绝缘
  • 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力
  • UL 认证
  • 高功率循环和温度循环能力

优势

 

  • 高功率密度可实现紧凑型逆变器设计
  • 标准封装
图表
支持