FF200R12KS4P 1200 V 200 A 双 IGBT模块

综述

62 mm 1200 V, 200 A dual IGBT module with fast IGBT2 and pre-applied Thermal Interface Material is the right choice for your design. 

特征描述

  • 高短路容量
  • 自限短路电流
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的鲁棒性
  • VCEsat 带正温度系数
  • 封装的 CTI > 400
  • 高爬电距离和电气间隙
  • 绝缘基板
  • 铜基板
  • 标准封装

优势

  • 灵活性
  • 优化电气性能
  • 可靠性高
图表
支持