FF200R12KT3 1200 V 200 A 双 IGBT模块
综述
半桥 62 mm 1200V 200 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代快速 TRENCHSTOP™ IGBT 和发射极控制高效二极管，是您设计工作的不二之选。还可提供采用共发射极的型号FF200R12KT3_E.
特征描述
- 变频驱动的出色解决方案
- 通过 UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证
- 工作温度范围高达 125 °C （最高150 °C)
- 优化开关特性，例如，柔度和降低开关损耗
- 具有更高电流能力的现有封装
- 符合 RoHS
优势
- 灵活性
- 出色的电气性能
- 高可靠性
图表
支持
