FF200R17KE4
综述
62 mm 1700 V, 200 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and emitter controlled 4 diode.
特征描述
- 更高的工作温度 Tvj op
- 低 VCEsat
- 出色的稳健性
- VCEsat 具有正温度系数特性
- 绝缘基板
- 标准外壳
- 4 kV 交流 1 分钟绝缘
- 封装的 CTI > 400
- 高爬电距离和电气间隙
优势
- 灵活性
- 出色的电气性能
- 高可靠性
图表
支持