FF450R33T3E3 3300 V 450 A 双 IGBT模块

综述

XHP™3 3300 V，450 A 双 IGBT 模块，采用第三代 TRENCHSTOP TM IGBT 和发射极控制二极管——专为灵活性和可靠性而设计！

特征描述

  • 高直流电压稳定性
  • 高短路能力
  • 低开关损耗
  • 低 VCEsat
  • 出色的坚固性
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat 带正温度系数
  • 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力
  • 封装的 CTI > 600
  • 绝缘基板

优势

  • 高功率一体化平台，提供灵活性和可扩展性
  • 高功率密度和优化的框架尺寸
  • 高可靠性，且使用寿命长
  • 降低系统成本
  • 低电感
图表
支持