FF750R17ME7_B11 1700 V 750 A 双 IGBT模块
综述
EconoDUAL™ 3 1700 V，750 A 双TRENCHSTOP™ IGBT7模块，采用第七代发射极控制二极管、NTC和PressFIT压接技术。
特征描述
- 高功率密度
- 低VCEsat，具有正温度系数
- 过载情况下Tvj op = 175°C
- 优化开关损耗
- 增强dv/dt的控制性能
- 改善二极管软度和Erec损耗
- 增强抗宇宙射线能力
- 改进的端子
- PressFIT控制引脚和螺钉式功率端子
- 集成NTC温度传感器
- 隔离基板
- 设计采用注塑端子，结构紧凑、可靠性高
优势
- 相同的机箱尺寸下，可实现更高逆变器输出电流
- 避免了IGBT模块的并联
- 通过简化逆变器系统，降低系统成本
- 组装简单可靠
图表
支持
