FF800R12KE7 1200 V，800 A 半桥IGBT模块

综述

62 mm 1200 V, 800 A 低饱和压降的Fast trench IGBT半桥模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7和发射极控制第7代二极管。也可提供预涂导热介质版本。

 

特征描述

  • 最高功率密度
  • 一流的VCE,sat
  • Tvj op = 175 °C过载
  • 高爬电距离和电气间隙
  • 符合RoHS标准
  • 4 kV AC下 1分钟绝缘
  • 封装的CTI > 400
  • 通过UL/CSA的UL1557 E83336认证

优势

  • 现有封装具有更高的电流能力，支持在相同的框架尺寸下增大逆变器输出功率
  • 最高功率密度
  • 避免IGBT模块并联
  • 通过简化逆变器系统降低系统成本
  • 灵活性
  • 最高可靠性
图表
视频
培训

TRENCHSTOP™ IGBT7

In this training we will present TRENCHSTOP™ IGBT7 by focusing on its key features and technical benefits. We will also see the existing and planned portfolio of IGBT7 for industrial drives applications.

支持