FP100R07N3E4_B11 650 V 100 A PIM三相输入整流 IGBT模块

综述

EconoPIM™ 3 650V 100A 三相IGBT 模块，采用第四代沟槽栅/场终止 IGBT、第四代发射极控制二极管、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术

特征描述

  • 阻断电压能力提高，650 V
  • 高短路能力，自限制短路电流
  • T(vj op) = 150°C
  • VCEsat 具有正温度系数特性
  • 集成 温度检测NTC 温度传感器
  • 铜基板
  • 标准外壳

优势

  • 紧凑模块的概念
  • 优化客户的开发周期，降低成本
  • 灵活的配置
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