FP35R12U1T4 1200 V 35 A PIM三相输入整流 IGBT模块
综述
1200V SmartPIM 1 IGBT 模块,采用第四代快速沟槽栅/场终止 IGBT、第四代发射极控制二极管、NTC温度检测和 PressFIT 压接技术
特征描述
- 低开关损耗
- 第四代沟槽栅 IGBT
- T(vj io) = 150°C
- 低 V(cesat)
- 低热阻AI(2)O(3)基板
- 坚固的双面框架结构
- 自成型 PressFIT 压接安装
优势
- 安装操作安全简单
- 安装省时
- 模块引脚和 PCB 的可靠连接
- 多种安装方式
潜在应用
该模块可由专用评估板驱动。
7ED020E12_FI_U1
图表
支持