汽车MOSFET
适用于汽车应用的 N 沟道、P 沟道和双通道 MOSFET 种类繁多的功率 MOSFET 均已通过 AEC-Q101 以上的认证
汽车MOSFET可提高性能和安全性
了解英飞凌的高品质汽车功率 MOSFET，将与 MOSFET 相关的失效降至最低。英飞凌对客户成功和整体道路安全的承诺确保了所有汽车 MOSFET 均保持尽可能高的质量标准，远远超过 AEC-Q101 标准。
通过汽车认证的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 产品组合具有 20 V 至 300 V 的基准质量、坚固的封装和低至 0.4 mΩ 的 RDS(on)，深受工程师和汽车制造商的信赖。
OptiMOS™ 7 专为实现最高功率效率和降低开关损耗而设计，可增加大电流应用的安全工作区（SOA）。这款器件采用创新、坚固的封装，电路板占用面积最小，为未来的汽车应用树立了标准。
英飞凌不断以最新的汽车 MOSFET 技术提供合适的解决方案，确保卓越的性能、出色的质量和强大的功能。
- 沟槽技术采用领先的 RDS(on) 性能
- 标准封装具备最高的电流能力
- 最低开关损耗和导通损耗
- 坚固的封装技术
探索汽车 MOSFET 产品组合，寻找您的完美解决方案。
创新且坚固耐用的汽车MOSFET产品
英飞凌提供多种汽车半导体解决方案：传感器、微控制器和汽车级 MOSFET，有数十年的专业技术为后盾。我们提供多种汽车级 MOSFET 产品组合，包括各种封装的 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。根据您的应用需求，您可以找到满足要求的单管、双半桥和顶部冷却的封装。
采用各种封装的 P 沟道和 N 沟道汽车 MOSFET
P 沟道 MOSFET： 我们的汽车 P 沟道功率 MOSFET 采用引线式封装，采用 OptiMOS™ P2 Gen5 技术，电压范围为 30 V、40 V、55 V 和 150 V，在 40 V 时具有极低的 RDS(on) 值和极高的电流能力。
N 沟道 MOSFET： 汽车 N 沟道 MOSFET 的封装尺寸从 3 × 3 mm 到 10 × 15 mm 不等，具有极高的设计灵活性，可满足各种需求。
适用于 40 V 电机驱动应用的半桥封装，以及适用于最高功率密度应用的新型顶部冷却 SSO-10T 5 × 7 mm 和 TOLT 10 × 15 mm 封装，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却元件的额外成本。
sTOLL 解决方案采用 7 x 8 mm 大功率无引线封装，配备 OptiMOS™ 5 40 V 和 OptiMOS™ 6 40 V，适用于未来的汽车应用（JEDEC MO-319，IEC HSOF-5）。
使用英飞凌的各种汽车 MOSFET，降低设计成本、减少空间和冷却元件，完成您高效可靠的设计。
高效可靠的汽车 SiC MOSFET
英飞凌的汽车碳化硅（SiC）MOSFET 产品范围广泛，包括 CoolSiC™ MOSFET、分立器件和 CoolSiC™ MOSFET 模块，可为汽车应用提供高效率和高可靠性。 这些 MOSFET 不仅能提供最佳性能，还能节省空间和重量。
关于汽车 MOSFET 应用
英飞凌汽车 MOSFET 适用从车载充电器到电动助力转向（EPS）、电动制动和喷射系统等安全关键型应用的各种汽车应用。非常适合泵、风扇、通风、座椅调节或天窗的电机驱动。此外，这款 MOSFET 还可用作车载充电器、高压/低压 DC/DC 转换器、电池管理系统和逆变器的开关。
为您的所有汽车应用选择合适封装的MOSFET。
创新且具有成本效益的集成半桥封装解决方案
虽然双 SSO8 5 x 6 mm 封装非常适合单负载，但对于桥式应用而言，双 MOSFET 的布线非常复杂，需要很大的 PCB 面积。此外，双 SSO8 封装的额定电流限制为 20 A。
英飞凌的集成半桥基于优化的 OptiMOS™ 6 技术，为桥式应用提供了改进的布线方案，可帮助您大大减少 PCB 面积。该系列产品的 RDS(on) 范围广泛，从 3.0 mΩ 到 7.0 mΩ 不等，且电流额定值提高到了 60 A。这些模块非常适用于电机控制、车窗升降器、车身控制模块（BCM）、电子驻车系统以及座椅控制模块等应用领域。
产品主要特性：
- 集成式半桥 SSO8（5 × 6 mm）
- 5 × 6 mm 的小基底面，并针对 B6 应用优化了布局
- 最新的 OptiMOS™6 40 V 针对开关和功率损耗进行了优化
- 封装已通过 JEDEC 认证
- 适用于中低功率驱动应用的高性价比产品
- 铜夹焊接
- 针对桥接应用增强了布线，从而节省了相当大的 PCB 面积
- RDS(on) 范围为 3.0 mΩ 至 7.0 mΩ
- 数据表中的额定电流增加到 60 A
因为精准地了解了汽车制造商和消费者在当下和未来的需求和期望，英飞凌车规级MOSFET优于AEC-Q101认证标准。尽管该标准本身就颇具价值，但对我们来说还远远不够。
通过了解AEC-Q101的薄弱环节，我们作此选择的原因就十分显而易见了：一方面，该标准并没有涵盖非典型或严格的工作情况，也没有跟踪制造过程中的稳定性；另一方面，它并未将低于10000 dpm考虑在内。相比之下，我们的车规级MOSFET更为可靠，实现<0.1dpm。
为什么英飞凌要超越AEC-Q101呢？这是因为对高质量标准的追求，已经渗透了英飞凌的每一个角落，即便它意味着不断突破与超越。在这种情况下，我们唯有超越标准，才能打造更清洁（通过减少碳排放）和更安全（通过（半）自动驾驶功能）的汽车。我们严格的产品认证流程可确保汽车制造商获得最可靠的性能。
通过将领先的技术与坚固耐用的封装相结合，我们的MOSFET可确保在一系列汽车应用中发挥出色的性能。不仅如此，您和您的客户还可尽享以下优势：
Infineon offers a wide product porftolio of automotive MOSFETs, covering a voltage range of 20V up to 800V. The product portfolio consists of:
- Introduce Infineon’s automotive MOSFETs for electric two-wheeler applications, its key features, benefits, as well as the technical support available
- Identify the target applications of electric two-wheelers that require automotive MOSFETs.
- Infineon’s Dual Gate MOSFET (IAUTN08S5N012L) is an 80 V product with an RDS of 1.15 milliohms, making it an ideal choice for use in disconnect switches
- Learn more about this product and its use in power distribution applications in this training
- Be familiar with Infineon’s measures to reduce the failure rate and to prove the quality level of a product
- Identify the right product based on given target application requirements
- Get to know today`s fast growing automotive MOSFET market.
- Know more about Infineon`s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications.
- Learn how Infineon defines a true culture of quality.
- Get to know Infineon`s Zero Defect approach and how Infineon goes beyond the requiriments when it comes to automotive MOSFET qulification.
- Get to know Infineon’s Automotive MOSFET data sheet.
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device’s limits and capabilities.
- Know the different 48 V applications for the new drivetrain architectures.
- Get an overview of Infineon`s comprehensive MOSFET portfolio.
- Have an overview of the converters needed in electric vehicles.
- Analyze the 2-quadrant converter topology in buck and boost mode and the half-bridge converter with center tap rectification topology.
- Recognize the different types of setups in the data sheets.
- Be able to calculate the junction-to-ambient thermal resistance value, the power losses, and the static DC current.
