IPDQ60R010S7A
综述
极低 RDS(on) * 采用创新型顶部冷却 QDPAK 封装的超结 MOSFET，低频开关汽车应用的理想之选
汽车级 600V CoolMOS™ S7A 超结 MOSFET 系列符合 AEC-Q101 标准，经优化后可显著降低导通损耗，具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 RDS(on)。该系列产品具备前所未有的 RDS(on) 与价格优势，品质因数出色，尤为适用于高压电熔丝、高压电子断开装置和有源线路配置中的车载充电器 PFC 级。
特征描述
- 低 RDS(on)
- 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
- 针对导通性能进行优化
- 热阻改善
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能
优势
- 低导通损耗
- 提高效能
- 更为紧凑与简便的设计
- 总体拥有成本 (TCO) 或 BOM 成本降低
潜在应用
- 高压电熔丝
- 高压电子断开装置
- 车载充电器
视频
培训
- Get to know Infineon’s Automotive MOSFET data sheet
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device’s limits and capabilities
- Know more about Infineon’s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications
- Understand why and how Infineon is strengthening its position in the 40 V MOSFET market, and be familiar with Infineon’s newest 60 V MOSFETs
Are you looking for a power MOSFET alternative and want to see what Infineon can offer? It has never been easier.
质量
支持
