IPDQ65R017CFD7A
综述
650 V CoolMOS™ CFD7A N沟道汽车 SJ 功率 MOSFET，采用 HDSOP-22 顶部冷却型封装
采用 QDPAK 顶部冷却 SMD 封装的 17mΩ IPDQ65R017CFD7A 属于通过汽车认证的 650 V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 产品系列。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时提高了设计灵活性。顶部冷却进一步提高了功率密度，降低了寄生源极电感，并配备了开尔文源极引脚和
3.2 毫米爬电距离。
特征描述
- 符合 AEC-Q101 标准
- 适用于硬开关和软开关拓扑结构
- 内置快速体二极管
- 减少寄生源极电感
- 开尔文源极引脚
- 大电流能力
- 高功率耗散，Ptot 694 W/25°C
- 3.2 毫米高压爬电距离
优势
- 更好地利用 PCB 空间
- 汽车应用的最高可靠性
- 优化的电源回路
- 热能与基底去耦
- 实现更高的功率密度设计
- 可扩展用于 PFC 和 DC-DC 阶段
- 提供细化的产品组合
潜在应用
视频
支持
