BSS169I
综述
采用 SOT-223 封装的 N-沟道耗尽型小信号 MOSFET 专为工业和消费类应用而设计
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on) = 60 Ohm。
凭借最佳性价比和小尺寸封装，英飞凌的小信号和小功率 MOSFET 是各种应用和电路的最优之选。其中包括 低压驱动、 线性电池充电器、 电池保护、负载开关、 DC-DC 转换器、 反极性保护 等。
小信号/小功率 N-沟道和 P-沟道 MOSFETs 可提供广泛的 VGS(th) 水平和 RDS(on) 值， 以及多种电压等级。凭借增强和耗尽型的双重选项以及工业级资质，英飞凌的产品组合成为了最适合工业和消费品市场的产品。
特征描述
- 小尺寸封装
- 正常电平和逻辑电平栅极驱动均可使用
- 增强和耗尽型双重选项
- 符合 RoHS 标准，无卤素
- 快速开关
- 雪崩能力
- 符合 JEDEC 工业应用标准
优势
- 节省 PCB 空间和成本
- 灵活的栅极驱动
- 降低设计复杂性
- 环保型产品
- 综合效率高
- 可实现稳健的设计
- 工业级资质
潜在应用
培训
质量
支持
