600 V CoolMOS™ S7 / S7T
600 V CoolMOS™ S7 高压超级结 MOSFET 系列以最优惠的价格为低频开关应用提供最佳性能
英飞凌的高性能 CoolMOS™ SJ MOSFET 技术可以轻松设计速度更快、品质卓越的新型高功率产品。 S7 系列高压超级结 MOSFET将 22 mOhm 芯片内置于创新的小型 TO 无引线 (TOLL) SMD 封装中,为功率密度树立了新的基准。
此外,该产品系列的一大亮点是 Q-DPAK 封装,IPDQ60R010S7 和 IPQC60R010S7 具有顶部散热和底部散热两种封装,且具有低至 10 mOhm 的前所未有的 RDS(on)。
完美适合低开关频率
它非常适合 MOSFET 以低频开关的应用,例如有源桥整流、逆变级、浪涌继电器、PLC、功率固态继电器和固态断路器。
对于固态继电器和固态断路器设计,英飞凌的 CoolMOS™ S7 MOSFET 得到了 CoolMOS™ 系列其他超结 MOSFET、IGBT、OptiMOS™ 低压和中压 MOSFET、电隔离栅极驱动器和 PVI(光伏隔离器)的补充。
优化的技术 – 卓越的性能和成本效益
通过专注于不强调开关损耗的应用,CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 剥离了与开关性能相关的功能,因此具有优化的成本定位,同时达到非常低的 RDS(on) 值。
CoolMOS™ S7 MOSFET 基于英飞凌 CoolMOS™ 7 技术的成功技术优化而构建,该技术从器件中删除了与开关性能相关的冗余功能,因为低频开关应用不需要这些功能。 因此,它是需要以最佳价格实现低传导损耗的应用的理想 MOSFET。 此外,还提供最佳性能并保持英飞凌的高质量标准。
CoolMOS™ S7T,S7 衍生产品
CoolMOS™ S7T 产品系列是 CoolMOS™ S7 的新变体,旨在解决固态解决方案,特别是固态继电器 (SSR) 应用。 它集成温度传感器,可提高结温传感的精度。 这些功能的集成对许多电子应用的耐用性、安全性和效率产生积极影响。 对于 SSR 而言,由于高精度的嵌入式传感器及其卓越的 RDS(on),这意味着性能和可靠性的增强。
关键性能
- SMD 封装中同类最佳 RDS(on)
- 最佳超结 MOSFET RDS(on)
- 导通性能经过优化
- 改善热阻
- 高脉冲电流性能
- 交流线路换相时体二极管的稳定性
主要优势
- 导通损耗最小
- 提升能效
- 设计更紧凑、轻便
- 消除或减少了固态设计中的散热器
- TCO 成本或 BOM 成本降低
![Infineon grahp CoolMOS™ S7 in SMPS](/export/sites/default/_images/product/power/Power-MOSFETs/CoolMOS_S7_family_page/CoolMOS_S7_efficiency_2400W_PFC.JPG_1901778167.jpg)
长久以来,实现低成本、高效能并非易事。通过在 PFC 整流桥中将 CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 与二极管并联或替代二极管,只需少量的设计工作,即可使 PFC 效率提高 1% 左右。这是实现钛金效率水平的理想解决方案,同时可以控制成本并缩短上市时间。
英飞凌 CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 在图腾柱 PFC 拓扑结构中是对 增强型CoolGaN™ HEMTs 的完美补充, 可充分获得最高 99% 的效率水平,并将 SMPS 系统设计推向下一代超高效率平台。