650V CoolMOS™ CFD2

综述

利用快速二极管，在效率与鲁棒性之间实现平衡

在高功率转换领域，最近的趋势是向越来越高的功率密度发展。零电压或零电流开关等谐振开关拓扑是得到高功率密度的最佳办法，这种谐振开关拓扑通过消除开启损耗来提高效率。

CFD2的下一代产品：600V CoolMOS™ CFD7和 650V CoolMOS™ CFD7。

产品
详情

650V CoolMOS™ CFD2 超结 MOSFET 的特性、优势和应用

特性

  • 市场上首项使用集成快速体二极管的650V技术
  • 硬换流过程中电压过冲受限
  • 与 600V CFD技 术相比，Qg 显著降低
  • RDS(on) max 对 RDS(on) typ 的窗口更窄
  • 设计导入容易
  • 价格低于 600V CFD 超结技术

优势

  • 对体二极管 Qrr 重复换流低，导致开关损耗低
  • 自限制 di/dt 和 dv/dt
  • 低 Qoss
  • 缩短开/关延时
  • 出色的 CoolMOS™ 质量

应用

CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET 是英飞凌带集成快速体二极管的最新系列。该款产品是电信和服务器市场中既要求高效率水平、又不能牺牲最高可靠性和易用性的高功率应用的理想选择。

 

最高易用性，支持快速设计导入

CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET 的低压过冲极低，震荡行为最为有限。更低的栅极峰值加上高达 200V 的安全边际，为不需要额外震荡控制的快速设计导入创造了条件。

中等负荷到满载条件下效率性能更高

在中等负荷到满载条件这个至关重要的负载范围内，CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET 的效率效益可能比竞争产品高 0.6%。

最少的反向恢复电荷和最短的反向恢复时间，确保最高可靠性

硬换流在 ZVS 的拓扑结构中很普遍，需要具有优秀的快速体二极管性能的器件，而快速体二极管的性能主要由低 Q rr (反向恢复电荷)和 T rr 反向恢复时间)决定。

CoolMOS™ CFD2 快速反向恢复能力可为设计师提供优势

  • 降低器件在体二极管未完全恢复期间承受的应力
  • 为设计中的重复硬换流争取到更大安全边际，减少设计导入的工作量

推荐文档

Button-Infineon-PowerandSensing-SG

您可能还对此感兴趣

视频
Share
Share
Share
支持