800V and 900V CoolMOS™ C3

英飞凌 800 V和900 V CoolMOS™ C3 高性能系列产品基于具有革命意义的超结(SJ)原理设计，可在不牺牲易用性的条件下，发挥出快速开关超结 MOSFET 的所有功效。

800 V CoolMOS™ C3 超结 MOSFET

因为比导通电阻(R_DS(on)*A) 低，所以 800 V 系列产品的导电和开关损耗极低，可令开关应用变得高效、更紧凑、更轻且冷却度更高。此外，该系列的性价比也很出色。800 V CoolMOS™ C3 产品经过优化，所以易于使用，在太阳能逆变器、工业逆变器、三相拓扑、个人电脑电源、适配器、液晶电视和照明应用的效率出色。

900 V CoolMOS™ C3 超结 MOSFET

英飞凌 900 V CoolMOS™C3 器件基于电荷补偿的器件概念设计，与其他 900 V 常 MOSFET 相比，每个封装类型的导通电阻(R_Ds(on))可减少 4 或更多倍数。900 V CoolMOS™C3 还可提供极低的品质因数，导通电阻乘以栅极电荷(R_DS(on)* Q_g) 34 W*nC，意味着低传导、驱动和开关损耗。900 V CoolMOS™ C3 非常适合在高效率开关模式电源、工业和可再生能源应用中使用。