D-DPAK & Q-DPAK

综述

CoolMOS™ G7 SJ MOSFET 与双DPAK（D-DPAK）中的CoolSiC™肖特基二极管G6

适用于高功率应用的创新型顶部散热SMD解决方案

英飞凌推出的首款顶部散热表面贴装器件(SMD)封装，可满足PC电源、太阳能、服务器和电信等高功率SMPS应用的需求。现有高压技术600 V CoolMOS™ G7超级结 (SJ) MOSFET和CoolSiC™肖特基二极管650 V G6的优势与顶部散热的创新理念相结合，为高电流硬开关拓扑结构（如PFC）提供系统解决方案，为LLC拓扑结构提供高端高效解决方案。借助前沿 Q-DPAK 封装，英飞凌进一步丰富了顶部冷却型产品种类。Q-DPAK 封装拥有两倍于 D-DPAK 的面积，可用于更高功率的应用。该封装不仅尤为适合 SMPS 应用，在静态和慢速开关应用中亦颇具优势，因此也可用于 CoolMOS™ S7（针对工业应用）和 S7A 系列（针对汽车应用）。

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顶部散热一览

基于SMD的SMPS设计支持快速开关，并有助于减少与长引脚封装（如常用的 TO-220 或 TO247 封装）相关的寄生电感。在当今基于SMD的设计中，输出功率受PCB材料的热限制限制，因为热量必须通过电路板散发。得益于 D-DPAK 和 Q-DPAK 的顶部冷却设计，可实现电路板和半导体的热解耦，实现更高的功率密度或更长的系统寿命。

~功耗高约20%

基于D-DPAK的SMD解决方案可在标准散热概念的电路板温度水平上实现高出20%的输出功率，从而在给定的外形尺寸下实现更高的功率密度。

~大约低12°C的电路板温度

基于D-DPAK的SMD解决方案允许在标准散热概念的输出功率水平上以大约低12°C的电路板温度驱动应用，从而延长系统寿命。这同样适用于 Q-DPAK 封装。得益于顶部冷却设计，客户可提高功率密度或延长系统使用寿命。

适用于高功率应用的创新型顶部散热SMD解决方案

D-DPAK 和 Q-DPAK 内置第 4 引脚开尔文源极配置，具备极低的寄生源极电感。独立的“源感”引脚为驱动器提供不受干扰的信号，因此提高了易用性水平。此第4引脚功能与英飞凌最新的SJ MOSFET和CoolSiC™肖特基二极管技术相结合，可确保最高的效率水平，并允许客户达到80 PLUS® Titanium标准。