800V CoolMOS™ P7
英飞凌的800 V CoolMOS™ P7系列为800 V超级结技术树立了标杆，并将一流的性能与最先进的易用性相结合。这一新产品系列是基于反激式消费类开关电源应用的完美选择。此外，它还适用于消费类中的PFC级，以及太阳能应用、适配器、音频、照明、辅助电源、工业开关电源，在性价比方面完全满足了市场的需求。
与其前身以及在典型反激式应用中测试的竞争对手的器件相比，该产品系列的效率提高了0.6%，MOSFET温度降低了2℃至8℃。它还通过更低的开关损耗和更好的DPAK RDS(on)产品实现了更高的功率密度设计。总的来说，它可以帮助客户节省材料清单成本并减少装配工作。集成的齐纳二极管ESD保护大大改善了ESD稳健性，从而减少了与ESD有关的产量损失。
该产品系列继续提供公认的同类最佳CoolMOS™质量。此外，CoolMOS™ P7还提供了新的最佳RDS(on)：在DPAK中，RDS(on)为280 mΩ，比最近的800 V MOSFET竞争对手低50%以上。这一新的基准可实现更高的功率密度设计，节省BOM，以及降低装配成本。
该技术可充分优化关键参数，实现同类中较为优异的的效率和热性能。在 80 W LED 驱动器中的表现证明，该技术相较于市面上竞争对手的技术，可以把Eoss和Coss降低 45% 以上、让Ciss和 QG 得到显著改善，同时使轻载条件下的效率提高 0.5%，有助于减少终端应用的闲置功耗。满载条件下，观察到效率提高 0.3%，器件温度降低 6°C。
EMI 是一个系统级指标，所以 EMI 优化只能是系统级优化。然而，对英飞凌 45 W 适配器的发现 800 V CoolMOS™ P7 的 EMI 性能不论与英飞凌过去的技术还是与竞争对手的技术相比不相上下。
与竞争对手的技术相比，800 V CoolMOS™P7 技术可将低得多的 RDS(on)集成到包括 DPAK 在内的小封装中。最终促成了价格非常有竞争力的高功率密度设计的诞生。
客户效益：
- 高功率密度
- 降低 BOM 成本
- 减少生产成本
完整的 P7 平台在开发时采用集成的齐纳二极管充当 ESD 保护机构，将器件的总体耐用度提高到 HBM 2 级水平。
Thin-PAK 5x6封装是一种无引脚SMD封装，特别为高压MOSFET设计。这种封装的尺寸非常小，只有5x6 mm²，高度为1 mm，外形非常低。显著较小的封装尺寸与其标杆性的低寄生电感相结合，可以作为一种有效的方式来减少功率密度驱动设计中的系统解决方案尺寸。
将性能和易用性与具有成本效益的成套解决方案相结合
专为低功率开关电源市场的竞争力而设计
目标应用、特点和好处
关于同类最佳性能、最先进的易用性和价格/性能定位的概述
