IPDQ60R022S7
综述
英飞凌低 RDS(on) 600V 超结 MOSFET 采用高效顶部冷却 QDPAK 封装，是低频开关应用和固态解决方案的理想选择
在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列针对低导通损耗作了优化，具有市场上最低的 RDS(on)。其 RDS(on) x 价格品质因数前所未有，完美契合大功率电源中的固态断路器和继电器、PLC、电池保护及有源桥式整流。顶部冷却可最大限度地降低导通损耗，同时最大限度地提高功率密度，冷却方式采用最高效的 SMD 冷却。
特征描述
- 低 RDS(on)
- 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
- 针对导通性能进行优化
- 耐热性提高
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极配置引脚改善了高电流下的开关性能
优势
- 最大限度地降低导通损耗
- 提高能效
- 更紧凑、更简单的设计
- 在固态设计中无需或减少散热器
- 较低的 TCO 成本或 BOM 成本
潜在应用
视频
质量
支持
