IPL65R115CFD7
综述
650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 集成了快速体二极管，是谐振大功率拓扑结构的理想选择
英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R115CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。 作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器件的栅极电荷更低，关断性能更优异且反向恢复电荷更少，因此可显著提高效率与功率密度，额外提升 50V 的击穿电压。
特征描述
- 超快体二极管和极低 Qrr
- 650 V 击穿电压
- 相较于竞品，开关损耗显著降低
- 极低的 RDS(on) 温度依赖度
优势
- 出色的硬换向稳健性
- 高总线电压提供额外的设计安全裕度
- 实现更高功率密度
- 工业 SMPS 应用中的卓越轻载效率
- 工业 SMPS 应用中的出色满载效率
- 比市场竞品更有竞争力的价格
潜在应用
培训
质量
支持
