IPLK60R360PFD7
综述
600V CoolMOS™ PFD7 超结MOSFET，采用 ThinPAK 5x6 封装
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R360PFD7) 使 CoolMOS™ 7 的消费应用更加广泛。采用 ThinPAK 5x6封装的 IPLK60R360PFD7 具有 360mOhm RDS(on) ，从而降低开关损耗。这种封装方式占用空间非常小，只有 5x6mm²，高度非常低，仅 1mm。再加上标杆低寄生参数，使得外形显著缩小，并有助于提高功率密度。CoolMOS™ PFD7 产品集成了快速体二极管，可确保器件的坚固性，有利于客户减少材料清单 (BOM)。
该产品系列旨在实现超高功率密度和最高效率。主要用于超高密度充电器、适配器以及低功耗电机驱动器。与 CoolMOS™ P7 和 CE MOSFET 技术相比，600V CoolMOS™ PFD7更轻，满载效率更高，功率密度提高了 1.8W/inch3。
特征描述
- 极低的 FOM RDS(on) x Eoss
- 集成稳健的快速体二极管
- 高达 2kV ESD 保护
- RDS(on) 值范围广
- 卓越的换向坚固性
- 低 EMI
优势
- 最小化开关损耗
- 与最新的 CoolMOS™ 充电器技术相比，功率密度提高
- 与 CoolMOS™ CE 技术相比，效率提高，热性能改善，适用于低功率驱动应用
- 降低 BOM 成本，易于生产
- 稳健性和可靠性
- 易于选择合适的部件进行设计微调
潜在应用
视频
培训
质量
支持
