IPN60R1K0PFD7S
综述
采用 SOT-223 封装的 600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R1K0PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R1K0PFD7S，其 RDS(on) 为 1,000mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。
该产品系列旨在实现超高功率密度和高效率设计。这些产品主要适用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。CoolMOS™与 P7 和 CE MOSFET 技术相比， 600V CoolMOS™ PFD7 的轻载和满载效率提高，功率密度提高了 1.8W / inch3。
特征描述
- FOM RDS(on) x Eoss 非常低
- 集成坚固耐用的快速体二极管
- 高达 2kV 的静电放电保护
- 广泛的 RDS(on) 数值
- 出色的换向强度
- 低 EMI
- 广泛的产品封装组合
优势
- 开关损耗非常小
- 与新型 CoolMOS™ 充电器技术相比，提高了功率密度
- 与 CoolMOS™ CE 技术相比，在低功率驱动器应用中效率更高并热性能更加出色
- 降低了物料清单成本，易于生产
- 坚固耐用
- 可轻松选择合适的部件进行设计微调
潜在应用
视频
培训
质量
支持
