IPN70R1K4P7S
综述
兼具优异性能与易用性
CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。
700V 和 800V CoolMOS™ P7 针对反激式拓扑进行优化600V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET 适用于软硬开关拓扑（反激式、PFC 和 LLC）。
特征描述
- 性能出众的超结技术
- 支持更低的 MOSFET 芯片温度
- 比前代技术效率更高
- 支持改进外形规格和纤薄设计
- 具有成本效益的封装解决方案
- 以具有竞争力的成本插入式替换 DPAK
- 在设计中节省空间，功耗更低，实现更小的外形规格
- 与 DPAK 相当的热性能
- 出色性价/性能比
- 价格极具吸引力的高性能技术
潜在应用
消费品应用
- 充电器
- 适配器
- 电视电源
- 照明
视频
培训
质量
支持
