IPP60R022S7

综述

英飞凌旗下最具性价比的 superjunction MOSFET，面向低开关频率应用（采用 TO-220 封装）

凭借降低传导损耗的优化设计，采用 TO-220 的 600V CoolMOS™ S7 superjunction MOSFET (IPP60R022S7) 在低开关频率应用中实现最佳 RDS(on) x 成本，例如有源桥式整流器、倒相级、浪涌继电器、PLC、HV DC 线、电源固态继电器和固态断路器等应用。600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 实现更高能效，降低 BOM 费用。

特征描述

  • TO-220 中的同类最佳 RDS(on)
  • 传导性能经过优化
  • 改善热阻
  • 高脉冲电流容量

 

优势

  • 尽可能降低传导损耗
  • 增加能效
  • 更精巧与轻便的设计
  • 消除或减少固态设计的散热器
  • 降低总体拥有成本 (TCO) 或物料清单 (BOM) 费用

潜在应用

培训
质量
支持