IPP60R065S7

综述

英飞凌最佳性价比超结 MOSFET 适用于低频开关应用，采用 TO-220 封装

600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET (IPP60R065S7) 针对低导通损耗进行优化，采用 TO-220 封装，可提供最优的 RDS(on) x 价格，适用于低频开关应用，如有源桥式整流器、浪涌继电器、 PLC、 高压 DC 线路、 功率 固态继电器 和固态断路器。600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 可实现更高的能效，降低 BOM 费用。

特征描述

  • 针对导通性能进行优化
  • 耐热性提高
  • 高脉冲电流能力

优势

  • 最大限度地降低导通损耗
  • 提高能效
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 在固态设计中无需或减少散热器
  • 较低的总体拥有成本 (TCO) 或物料清单 (BOM) 成本

潜在应用

质量

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支持