IPT60R045CFD7

综述

英飞凌对谐振大功率拓扑的解答

600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列。 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更为出色的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)远低于市场上的竞争性产品，降幅高达 69%。不仅如此，它还具有市场上较短的反向恢复时间(trr)。

特征描述

  • 超快体二极管
  • 出色的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 增强了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 较低的 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
  • 出众的RDS(on)/封装组合

优势

  • 出色的硬换向耐用性
  • 可靠性较高，适用于谐振拓扑结构
  • 兼顾高效率与易用性/性能权衡
  • 可实现更高功率密度解决方案

潜在应用

服务器、  电信、  电动汽车充电、  开关式电源 (SMPS)、  PC 电源

Perfect match! 2EDN EiceDRIVER™ family

Enabling optimized system solutions for high power designs

视频
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培训

Si, SiC or GaN? The right choice for power devices

Infineon on demand webinar Si, SiC or GaN?

Watch our webinar to discover more about technological positioning of silicon versus SiC and GaN power devices for both high and low power applications.

600V CoolMOS™ CFD7产品

Si | SiC | GaN Positioning in ACDC applications

Infineon webminar Si-Sic-Gan positioning photo

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