IPT60R080G7
综述
使用开尔文源极概念的新型SMD封装
CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐振电路打造了一个可能的 SMD 解决方案。
特征描述
CoolMOS™ C7 Gold SJ MOSFET
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出色的FOM R DS（on） * E oss 和R DS（on） * Q G.
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出色的R Ds(on) ，其所占空间最小
TO-Leadless封装
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内置第4引脚开尔文源配置和低寄生源电(~1nH)
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符合MSL1标准、完全无铅、具有易于肉眼检查带槽引线
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提高热性能Rth
优势
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得益于封装低寄生源电感和4pin开尔文源概念，C7 Gold技术得以改进，切换速度更快，从而实现了更高的效率
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通过替换TO封装（高度限制）或由于热或R DS（on） 要求对SMD封装进行并联，在小封装中实现了低RDS（on），从而提高了功率密度
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通过转向表面贴装（SMD），加快装配时间，从而能降低生产成本
潜在应用
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通信
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服务器
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太阳能
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工业 SMPS
视频
质量
支持
