IPT60R105CFD7

综述

英飞凌对谐振大功率拓扑的解答

600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列。 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更为出色的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)远低于市场上的竞争性产品，降幅高达 69%。不仅如此，它还具有市场上较短的反向恢复时间(trr)。

特征描述

  • 超快体二极管
  • 出色的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 增强了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 较低的 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
  • 出众的RDS(on)/封装组合

优势

  • 出色的硬换向耐用性
  • 可靠性较高，适用于谐振拓扑结构
  • 兼顾高效率与易用性/性能权衡
  • 可实现更高功率密度解决方案

潜在应用

服务器、  电信、  电动汽车充电、  开关式电源 (SMPS)、  PC 电源

Perfect match! 2EDN EiceDRIVER™ family

Enabling optimized system solutions for high power designs

视频
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培训

Si, SiC or GaN? The right choice for power devices

Infineon on demand webinar Si, SiC or GaN?

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600V CoolMOS™ CFD7产品

Si | SiC | GaN Positioning in ACDC applications

Infineon webminar Si-Sic-Gan positioning photo

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