IPW65R110CFD7
综述
650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 TO-247 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想之选
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R110CFD7 采用 TO-247 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。
作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPW65R110CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。
特征描述
- 采用超快体二极管，Qrr 极低
- 650V 击穿电压
- 相较于竞品，开关损耗显著降低
- RDS(on) 的温度依赖性极低
优势
- 出色的硬换向稳健性
- 总线电压提高，为设计提供额外安全裕度
- 可实现更高的功率密度
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
- 相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力
潜在应用
培训
质量
支持
