IPZ65R019C7
综述
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。
特征描述
- 650V 电压
- 具有突破性且出色的R DS(on)/封装
- 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
- 低栅极电荷Qg
- 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间
- 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验
优势
- 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
- 低通态损耗/小封装
- 低开关损耗
- 提高轻载效率
- 增加功率密度
- 出色的CoolMOS™质量
潜在应用
另请参阅我们的 2EDL EiceDRIVER™ 紧凑型 600V 半桥栅极驱动器芯片系列。单片集成低欧姆二极管和超快自举二极管采用电平转换 SOI（绝缘体硅片）技术，适用于 IGBT 或 MOSFET。
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