BSC004NE2LS5
综述
OptiMOS™ 5 低压功率 MOSFET 25V
凭借 OptiMOSTM 5 功率 MOSFET 25V，英飞凌提供了标杆解决方案：无论是在待机状态还是完全运行状态下，都能实现高功率密度和高能源效率。采用 SuperSO8 封装的 BSC004NE2LS5 提供了 0.45mOhm 的 BiC RDS(on)。
特征描述
- 出色的导通电阻
- 标杆开关性能 (最低品质因数 RDS(on) x Qg 和 RDS(on) x Qgd)
- 符合 RoHS 标准，无卤素
- 针对环形电路优化的特定部件，可提供较低的 RDS(on)
- 带有集成式肖特基二极管的部件以及可减小漏电流的型号
优势
- 高效率
- 采用 SuperSO8 封装，实现高功率密度
- 降低整体系统成本
潜在应用
质量
支持
