BSZ096N10LS5
综述
OptiMOS™5功率MOSFET逻辑电平在小型封装中提供低R DS（on）
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
特征描述
- 小型封装中的低R Ds(on)
- 低栅极电荷
- 降低输出电荷
- 逻辑电平兼容
优势
- 更高的功率密度设计
- 更高的开关频率
- 5V 供电可用时即可减少器件数量
- 微控制器直接驱动（慢开关）
- 降低系统成本
潜在应用
视频
质量
支持
