IPB017N10N5LF

综述

将低RDS（on）与宽安全工作区（SOA）相结合

OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R DS（on） ）和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽栅MOSFET R DS（on）以及经典平面MOSFET的宽安全工作区。

特征描述

  • 低R DS（on）和宽安全工作区（SOA）的组合
  • 极高的脉冲电流
  • 高连续脉冲电流

优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低通态损耗
  • 更高的浪涌电流可加快启动和缩短停机时间

潜在应用

  • 通信
  • 电池管理

 

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