IPB020N10N5LF
综述
将低RDS（on）与宽安全工作区（SOA）相结合
OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R DS（on） ）和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽栅MOSFET R DS（on）以及经典平面MOSFET的宽安全工作区。
特征描述
- 低R DS（on）和宽安全工作区（SOA）的组合
- 极高的脉冲电流
- 高连续脉冲电流
优势
- 坚固的线性模式操作
- 低通态损耗
- 更高的浪涌电流可加快启动和缩短停机时间
潜在应用
- 通信
- 电池管理
视频
支持
