IPD050N10N5
综述
采用DPAK封装的OptiMOS™5 100V功率MOSFET，R DS（on）降低22％ ，适用于电信和服务器电源应用
英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专为通信模块中的同步整流而设计，包括Or-ing，hotswap和电池保护以及服务器电源应用。与同类器件相比，该器件的R DS（on）降低22％，出色的FOM带来的贡献便是低导通电阻，它提供了高水平的功率密度和效率。
特征描述
- 针对同步整流进行优化
- 非常适合高开关频率
- 输出电容提升，高达 44%
- R DS(on) 与前一代相比降低高达 43%
优势
- 高系统效率
- 降低开关和通态损耗
- 减少并联
- 增加功率密度
- 低电压过冲
潜在应用
质量
支持
