IPT010N08NM5
综述
采用 TOLL 封装的80V、1.05mΩ、425A 单 N-沟道 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET
IPT010N08NM5 是英飞凌同类产品中最好的 80V 功率 MOSFET，采用TO-Leadless (TOLL) 封装， 在 25˚C 和 175˚C 条件下具备业界最低的导通电阻 RDS(on)。 OptiMOS™ 5 硅技术是英飞凌最新一代的功率 MOSFET，专为电信和服务器电源的同步整流而设计。 得益于 TOLL 封装，IPT010N08NM5 适用于高电流应用（高达 425 A），如叉车、轻型电动车 (LEV)、低压驱动器和电池管理系统 (BMS)。
特征描述
- 低栅极电荷 (Qg) 和输出电容
- 在 25˚C 和 175˚C 时，RDS(on) 很低
- 高额定电流
- 同步整流优化
- 高频开关的理想选择
优势
- 提高功率密度
- 低电压过冲
- 减少并联的需要
- 最高系统效率
- 降低开关和传导损耗
潜在应用
质量
支持
