IPT030N12N3 G
综述
采用 TOLL 封装的 120V OptiMOS™ 功率 MOSFET
IPT030N12N3 G在额外的击穿电压裕度和低导通电阻 (RDS(on)) 之间达到了出色平衡，是电池供电设备的理想选择。英飞凌 OptiMOS™ 功率 MOSFET 120V 技术 符合 TO-Leadless 封装要求, 针对大电流应用进行了优化。TOLL 封装是高功率密度应用的理想解决方案，与 D2PAK 7 引脚相比，封装尺寸减小了30％，且封装电感更低。
特征描述
- 紧凑型封装中的RDS(on)，比等效的 D2PAK 7 引脚部件低16％
- 封装体积比 D2PAK 7 引脚减少 60％
- 适用于不需要 150V MOSFET 的 72V 电池供电设备
优势
- 高功率密度和改善的热管理
- 所需电路板空间减少
- 高系统效率，并联需求减少
潜在应用
质量
支持
