IPTC014N10NM5
综述
OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用 TOLT 封装,具有出色的热性能
IPTC014N10NM5 属于TOLT 封装 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列:采用 TO-Leaded 顶部散热封装,热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征,使英飞凌的 100 V 产品成为同类产品中的佼佼者 >300 A 而且可以为高功率密度设计提供高额定电流。
依托顶部散热设计,漏极暴露在封装表面,因此可将 95% 的热量传导至散热片。相较于 TOLL 封装,TOLT 封装的 RthJA 降低了约 20%,RthJC 改善近 50%。而采用底部散热的封装类型,如 TOLL 或 D2PAK,热量则需要通过 PCB 经散热片散热,从而会导致高功率损耗。
特征描述
- 低 RDS(on)
- 高额定电流
- 顶部散热
- 负引脚本体高差
- 无锡散热焊盘
优势
- 系统效率高,有助于延长电池寿命
- 高功率密度
- 出色的热性能
- 节省散热系统
- 最大限度降低至散热片的热阻
潜在应用
支持