IPTG025N08NM5
综述
采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 具有更高的板上温度循环性能
OptiMOS™ 功率 MOSFETIPTG025N10NM5 采用改良型带翼型引线的 TO-Leaded 封装。TOLG 封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容，与 D2PAK 7-引脚相比，TOLG 封装具有出色的电器性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。
得益于翼型引线的灵活性，采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在 Al-IMS 电路板上表现出了优异的焊点可靠性。因此，与标准要求 (IPC-9701) 相比，板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。
TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。
特征描述
- 最佳的技术
- 高额定电流>300 A
- 低振铃和电压过冲
- 电路板占用空间比 D2PAK 7 引脚减少 60%
- 翼型引线
优势
- 高性能能力
- 系统可靠性高
- 高效率和低电磁干扰
- 优化电路板利用率
- 板上温度循环性能高
潜在应用
质量
支持
