IPTG039N15NM5
综述
OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 150 V 采用 TOLG 封装，具有更高的板上温度循环性能
OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG039N15NM5 采用改良型鸥翼式TO引脚 封装。TOLG 封装尺寸与无引脚 TO 封装尺寸互相兼容，与 D2PAK 7 封装相比，TOLG 封装具有出色的电气性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。这款新型封装的OptiMOS™ 5 150 V的 RDS(on) 非常低，而且经过优化，可承受大电流。
得益于鸥翼式引脚的灵活性，TOLG 封装型 OptiMOS™ 在 Al-IMS 电路板上表现出了优异的焊点可靠性。因此其板上热循环 (TCoB) 性能较标准要求 (IPC-9701) 高出 2 倍。
TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。
特征描述
- 卓越技术
- 高额定电流
- 低振铃效应和低电压过冲
- 相较于 D2PAK 7 引脚封装，占板面积减少 60%
- 鸥翼式引脚
优势
- 高性能
- 高系统可靠性
- 高效率，低 EMI
- 优化电路板利用率
- 出色的板上热循环性能
潜在应用
支持
