IQE006NE2LM5

综述

采用PQFN 3.3x3.3源极底置封装的OptiMOS™ 25V低压功率MOSFET具有业界领先的RDS(on)。

创新的OptiMOS™源极底置25V低压功率MOSFET（IQE006NE2LM5）采用PQFN3.3x3.3封装，使其容易与漏极底置解决方案一起用于同一PCB布线中。在相同的 3.3x3.3mm 封装外形中，最新源极底置封装将当前标准 RDS(on) 降低了约 30%，界定了新的行业基准 RDS(on)。此外，源极底置封装显著缩小了尺寸。现在，可以使用 PQFN3.3x3.3 的封装实现与 5x6mm SuperSO8 相同的性能，从而更高效地利用 PCB 基板面。另外，源极底置还提供了更好的功率损耗转移，这意味着卓越的热管理。总体而言，全新的创新源极底置技术可在最终应用中实现更高的系统效率和功率密度。这对于驱动器、电信系统、SMPS和服务器尤其必要。

特征描述

  • 根据电压等级，RDS(on)降低高达30％
  • 卓越的热管理选项
  • 优化的布局可能性
  • 提供两个封装版本

优势

  • 更高的电流能力
  • 最高的功率密度和性能
  • 更小的外形尺寸
  • 以更小的封装提供与 Super SO8 相同的性能
  • 优化的 PCB 寄生元件
  • 更低的 RthJA 和 RthJC
  • 更佳的功率损耗转移
  • 支持双面冷却（外露夹子）
  • 源极底置封装易于适应现有 PCB
  • 中心门极选件实现优化的并联应用

潜在应用

图表
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