IQE006NE2LM5SC
综述
OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 25 V 采用 PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装，其 RDS(on)在业内领先，而且热性能出色。
英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 25 V：IQE006NE2LM5SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。
此外，更高的效率、更低的主动散热要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。源极底置概念得益于其新基准 RDS（on） 和创新的布局能力，在热管理领域处于领先地位。
此外，与塑封封装相比，双面散热封装可承受三倍以上的耗散功率。源极底置系列主要针对 电驱动， 电信， SMPS 或 服务器等应用。 这项新技术目前有两种不同的封装版本：源极底置标准栅极和源极底置中心栅极（针对并联进行了优化）。
特征描述
- 与当前技术相比，RDS(on) 大幅降低，高达 30%
- 相较于现有 PQFN 封装技术，其 RthJC 得到了改进
- 标准栅极和中心栅极两种封装版本
- 全新优化布局
优势
- 可实现最高功率密度和性能
- 出色的热性能
- 优化布局，有效利用 PCB 空间
- 采用中心栅极封装，优化多个 MOSFET并联的配置
- 改进 PCB 损耗
- 减少寄生参数
潜在应用
支持
