IQE013N04LM6
综述
采用 PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate（源极底置门极中置）封装的 40V OptiMOS™ 低压功率 MOSFET，拥有业界领先的 RDS(on)
IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 扩展了英飞凌的创新型 Source-Down 产品系列，采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者，突破业界目前的功率密度和形状因数，优化了终端用户的体验。
电动工具的设计目标之一便是有效减少 PCB 区域的内部限制，从而实现人体工程学设计并优化用户体验。将逆变器从手柄移到头部，可大幅度减少 电动工具 电机外壳的体积， 同时将工具的扭矩保持在较高水平，以便快速、轻松地进行操作。
特征描述
- RDS(on) 大幅降低 25％
- 二极管的结壳热阻（RthJC）展现出色的热性能
- 可实现布局优化
- 标准和门极中置封装
优势
- 高电流能力
- 更有效地利用 PCB 区域
- 高功率密度和高性能
- 优化了与门极中置版本并联的 MOSFET 封装
潜在应用
周边/配套产品
视频
质量
支持
